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韓國半導體生產企業SK海力士于當地時間8日在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行的世界閃存峰會“FMS 2023”上公布了321層4D閃存開發的進展,并展示了現階段開發的樣品。
NAND閃存根據在1個單元中儲存多少個信息(比特單位)來區分規格。SLC為1個,MLC為2個,TLC為3個,QLC為4個,PLC為5個等。隨著信息存儲量的增加,在同一晶圓面積上可儲存更多的數據。
SK海力士在存儲器業界首次公開300層以上NAND的具體開發過程,并表示將在2025年上半年實現量產目標。321層1Tb TLC NAND與上一代238層512Gb NAND相比,生產效率提高了59%。由于數據存儲的單元能以更多的單片數量堆棧至更高,在相同芯片上實現更大存儲容量,進而增加了單位晶圓上芯片的產出數量。
SK海力士在峰會上還推出了針對高性能存儲需求而進行優化的下一代NAND產品解決方案:采用PCIe 5接口的企業級固態硬盤(eSSD)及UFS 4.0。該企業同時還表示,正在積極開發下一代PCI 6.0和UFS 5.0產品,以適應未來更高的存儲和運算需求。
(文章來源:科技日報)